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电子元器件详细资料 » IC[185] » NSBC114EDXV6T5G
型号:NSBC114EDXV6T5G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-563,SOT-666描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT563
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22210k
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)35 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市中新永盛科技有限公司朱先生0755-83211840
深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市三得电子有限公司销售部13509684848
上海熠富电子科技有限公司销售部15821228847 // 13764057178 // 15026993318
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
济南誉光微电电子科技有限公司王小姐0531-88891493
深圳市汇景欣电子有限公司黎小姐0755-23051326
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NSBC114EDXV6T5G相关型号

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